Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A IXYS
Prekės kodas: MKI100-12F8
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A IXYS
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
MKI100-12F8
Product ID
U-259881
Case
E3-Pack
Collector current
125A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
640W
Pulsed collector current
200A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
NPT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
H-bridge
Brand
IXYS
Supplier's product code
MKI100-12F8
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].