Pristatymo terminai
2025-05-29 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN TOSHIBA
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
GT50JR22
Supplier's product code
GT50JR22
Product ID
U-199615
Case
TO3PN
Collector current
44A
Collector-emitter voltage
600V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage
±25V
Kind of package
tube
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
THT
Power dissipation
115W
Pulsed collector current
100A
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
330ns
Turn-on time
250ns
Brand
TOSHIBA
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
