Pristatymo terminai
2025-09-02 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 37 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
GAN041-650WSBQ
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
GAN041-650WSBQ
Product ID
U-2326713
Case
TO247
Drain current
33.4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of package
tube
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
240A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].