LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Prekės kodas: G3R160MT12D
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
9.009.00
3-29
8.35
30-509
7.60
510+
7.35
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

9.00
2025-10-29 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2025-10-29 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra845 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39

Prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2246883
Prekės kodas
G3R160MT12D

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
G3R160MT12D
Supplier's product code
G3R160MT12D
Product ID
U-2246883
Case
TO247-3
Drain current
16A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
28nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
0.16Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
123W
Pulsed drain current
40A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].