Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.8A; Idm: -25A VISHAY
Prekės kodas: SIB457EDK-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.8A; Idm: -25A VISHAY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.8A; Idm: -25A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIB457EDK-T1-GE3
Supplier's product code
SIB457EDK-T1-GE3
Product ID
U-3807221
Case
PowerPAK® SC75
Drain current
-6.8A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
44nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
8.4W
Pulsed drain current
-25A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Version
ESD
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].